三、中国攻势：从“突围战”到“歼灭战”的质变

中国半导体的反击绝非偶然，而是一场蓄力二十年的“技术长征”。当ASML在2007年用浸没式光刻机终结尼康霸权时，中国工程师正在实验室打磨90nm光刻机原型；当ASML在2010年交付首台EUV设备时，中微公司的刻蚀机刚进入台积电验证。但正是这种“蚂蚁啃骨头”的坚持，在2025年迎来质变：

技术路线革命：新凯来的“超紫外激光等离子体光源”，突破传统EUV的波长限制，在功率和稳定性上实现代际跨越。

产业链重构：华为“星光工程”团队+深圳国资的资本赋能，形成“研发-制造-应用”闭环生态，设备国产化率突破70%。

市场倒逼创新：中国晶圆厂2024年扩产26座，成熟制程设备需求激增300%，为国产设备提供试炼场。

这场战役的精妙之处，在于“你打你的，我打我的”——当美国专注封锁EUV时，中国选择在原子层沉积（ALD）、多重图形曝光等“非对称赛道”突进。正如抗美援朝时的“零敲牛皮糖”战术，以局部技术突破撕开全局封锁。