新一代碳化硅材料的具体生产方式目前是机密，但和上一代比，生产难度大幅降低。我国这次在太空中验证的是使用新一代碳化硅材料的芯片，能否在外太空承受住宇宙辐射级别的干扰。最终验证结果是在综合辐射效应极高的情况下，进行稳定电源输入，具备极强的抗辐射能力。在50天的轨加电验证和试验测试该芯片一直都能维持稳定运行。

这已经不是一般的抗干扰了，这意味着我国开发的碳化硅芯片甚至能做到在核战争背景下，都能正常运行。

当年苏联放弃集成电路和大规模集成电路的研究路线，转而死磕电子管，最主要的原因就是担心在核战争背景下，核辐射可以在短时间内瘫痪所有使用了集成电路的电子设备导致军队直接退化回一战水平。

而我国开发的新一代碳化硅材料完美解决了这个问题。在航天环境，核战争环境，和高强度电子战环境下，该材料仍旧能正常使用。

除了这个能力，我国新一代碳化硅材料还有另外三个功能。

第一个功能就是通过其更强的高频特性，作为新一代高性能雷达和通信系统的高功率电子元器件材料使用。本来我国现在雷达的平均水准就超过了美国，现在则是更进一步。美国空军现在更别想在雷达和通信领域追上我们了。

第二个功能就是作为千瓦级激光武器的散热系统。现在高功率激光武器无法实战化，武器化，最大的困扰就是散热不行。当前的激光武器只能拿来对付对付无人机，想要对更大的目标造成伤害需要达到脉冲级别的功率，但这对散热装置是一个非常大的挑战，有了新一代碳化硅，这个问题也就不存在了。